Docente/i: Rinaldo Castello  

Denominazione del corso: Dispositivi elettronici
Codice del corso: 064009
Corso di laurea: Ingegneria Elettronica
Settore scientifico disciplinare: ING-INF/01
L'insegnamento è affine per:
Crediti formativi: CFU 5
Sito web del corso: http://ingegneria.unipv.it/didattica/schedacorso0910.ph
p?cod=064009&spec=0

Obiettivi formativi specifici

Il corso presuppone la conoscenza dei fenomeni fisici che stanno alla base del funzionamento dei vari dispositivi elettronici allo stato solido. Da questa base si intende portare lo studente alla conoscenza dei modelli circuitali analitici che descrivono tali dispositivi inclusi quelli più empirici usati nei simulatori numerici. L’enfasi è sui dispositivi più largamente diffusi vale a dire quelli disponibili nelle tecnologie integrate Bipolari e CMOS

Programma del corso

Il corso utilizza come conoscenze di base su cui costruire i modelli dei dispositivi studiati i risultati del corso di Fisica dei Semiconduttori. Per creare il più possibile continuità il corso inizia con un riepilogo dei punti salienti di tale corso.

Giunzione pn
Distribuzione disuniforme di impurità. Giunzione p-n rovesciata. Giunzione p-n in diretta, caratteristica corrente tensione. Accumulo di carica ed analisi in transitorio. Modello del diodo nelle varie regioni di funzionamento.

Transistore bipolare BJT
Effetto transistor. Modello di Ebers-Moll e modelli usati dai simulatori (SPICE). Descrizione del BJT Integrato. Effetto Early, alti e bassi livelli di iniezione, Effettei Kirk e Webster. Modello acontrollo di carica e analisi in transitorio. Modello “pi greco” per piccoli segnali.

Struttura MOS
Caratteristica capacità tensione della struttura MOS. Condizioni di accumulazione inversione e svuotamento. Tensioni di banda piatta e di soglia.

Transistore MOS
Caratteristica corrente tensione di un transistore MOS, zona lineare e zona satura. Modelli per grandi e piccoli segnali. Effetti del secondo ordine: canali corti e stretti e conduzione sottosoglia.

Transistore JFET
Caratteristica tensione corrente

Prerequisiti

Conoscenze di base di Fisica dei Solidi quali Meccanica quantistica e Meccanica statistica

Tipologia delle attività formative

Lezioni (ore/anno in aula): 38
Esercitazioni (ore/anno in aula): 4
Laboratori (ore/anno in aula): 0
Progetti (ore/anno in aula): 0

Materiale didattico consigliato

Il testo di riferimento in inglese è stato tradotto anche in italiano nelle prime edizioni. Si raccomanda tuttavia di utilizzare l'ultima edizione che esiste solo in inglese.

Muller. R.S. Kamins T.I.. Device Electronics for Integrated Circuits Second Edition. John Wiley & Sons New York.

Modalità di verifica dell'apprendimento

Prova Finale Orale con punteggio per Esercitazioni